(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> База цифровых устройств трассировки межсоединений (рис. 7.21, в). В этом кристалле любая область, в которой расположены БЯ (строка, столбец либо их часть) может быть использована как для создания логической схемы, так и лля создания межсоединений. Всле/ютвис более рационального расположения связей в бесканальном БМК уменьшается и задержка передачи сигналов по связям, т. к. и длины и паразитньЕС емкости межсоединений уменьшаются. □ □□□□ □ □□Q □ □□□     Рис. 7.21. Структуры БМК различных типов (в), (б), (а), (г) и расположение областей БМК (д) Бесканальные БМК характерны лля КМОП-схемотехники, в которой компактность схемных элементов и малая мощность рассеяния БЯ при их работе на не слишком высоких частотах способствуют возможностям плотной упаковки базовых ячеек. Бесканальные БМК реализуются в вариантах море вентилей и море транзисторов . Первый содержит массив законченных логических элементов, второй - массив транзисторов. Так как в бесканальных БМК, называемых иногда универсальными, положение трассировочных каналов и ячеек на рабочем поле не является жестким и при проектировании конкретной МАБИС плошадь кристалла может перераспределяться между трассировочными каналами и функциональными ячейками, потери площади кристалла снижаются. Например, в БМК с плотным расположением на рабочем поле рядов транзисторов в некоторых рядах реализуются логические элементы, а другие ряды используются иол трассировочные каналы, в них транзисторы остаются нескоммутированными и не используются (над ними проходят трассы). В зависимости от загруженности каншюв, для них может быть отведено различное число рядов транзисторов. В КМОП БМК используются также архитектуры с переменной длиной ячеек (рис. 7.21, г). Здесь каждая строка представляет собою последовательное соединение пар п- и р-канальных транзисторов. Если в такой длинной цепи разместить в заданных местах пары запертых транзисторов, то цепочка будет разделена на базовые ячейки произвольной длины. Возможность варьирования длиной БЯ ведет к более рациональному построеттию МАБИС и, следовательно, к повышению уровня интеграции реализуемых на БМК схем. Внутренняя область кристалла (ВО) окружена периферийной областью (ПО) (рис. 7.21, ()), расположенной по краям прямоугольной пластины БМК В периферийной области расположены специальные ПБЯ, набор схемных элементов которых ориентирован на рещение задач ввода/вывода сигналов, а также контактные плошадки (КП). Рост уровня интеграции ведет к возможностям реализации на одном кристалле все более сложных устройств и систем. Это вызвало к жизни блочные структуры БМК, архитектура которых упрощает построение комбинированных устройств, содержащих как блоки логической обработки данных, так и память или другие специализирован-нью блоки. При этом в БМК реализуются несколько блоков-подматриц, каждый из которых имеет как бы структуру БМК меньшей размерности. Между блоками располагаются трассировочные каналы (рис. 7.22). На периферии блоков ИЗГОГОШ1ЯЮТСЯ внутренние буферные каскады для формирования достаточно мощных сигналов, обеспечивающих передачу сигналов по межблочным связям, имеющим относительно большую длину Тип обрабатываемых сигналов (цифровые, аналоговые) штияст на качество п состав схемных элементов базовьгх ячеек. В связи с этим БМК подрщделяют- Цифровая cxeMOTeoima ся на цифровые, аналоговые и цифроаналоговые. Аналоговые и цифроаналоговые БМК, появившиеся позднее цифровых и менее распространенные, имеют состав базовых ячеек, позволяющий получать на их основе такие схемы, как операционные усилители, аналоговые ключи и компараторы и т. д. Матрица БЯ 1 Матрица БЯ Подматрица  Внутренний буфер-ный каскад Рис. 7.22. Блочная структура БМК Классификация по используемой схемотехнике отражает только основные варианты БМК. Варианты максимального быстродействия реализуются на схемах типа ЭСЛ или, что более экзотично, на арсениде галлия. Большое место занимает схемотехника КМОП, проявляющая свойственные ей известные достоинства. На основе схемотехнологии ТТЛШ выполнялись БМК среднего быстродействия. Кроме перечисленных, известны и другие по схемотехнике БМК. Например, БМК на основе схемотехники БиКМОП, кремний на диэлектрике и др. Однако эти варианты не принадлежат, по крайней мере пока, к числу щироко распространенных. Важной характеристикой БМК является число слоев межсоединений (в настоящее время это 2...6). Многослойность облегчает трассировку и позволяет изготовлять БМК более высокого уровня интеграции. В простейшем случае двухслойной трассировки на первом (нижнем) уровне обычно выполняются переменные соединения внутри БЯ (часть соединений не зависит от реализуемой на БМК схемы и постоянна) и связи по вертикальным каналам. Этот слой делается либо в виде диффузионной области самого кристалла, либо в виде поликремниевых или металлических дорожек. Второй слой металлизированных соединений дает разводку горизонтальных трасс и обслуживающих линий (питание, земля , синхронизация и т. д.). В четырехслойном кристалле в первом слое задаются связи внутри БЯ, во втором - вертикальные трассы, в третьем - горизонтальные, а в четвертом - обслуживающие цепи. При увеличенном числе слоев можно исключить трассировочные каншш! между ячейками, перейдя к бесканальным структурам.
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |