Читальный зал -->  Конструкции многокаскадных усилителей 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 [ 23 ] 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38

мироваиия сигналов, получаемых с выходов отдельных каскадов, используется общее сопротивление /?i = 100 Ом, которое соединено с соответствующими выходами через развязывающие резисторы /?2 = 300 Ом. Тогда максимальная амплитуда видеоимпульса на выходе равна:

зт = пКос f/пред Кцел

Rl Rj

ит: = 5-4,8-0,05

Rfi-SRiR+R.R

100-300

10 000+ 3-100-300+ 100-300

0,276 В,

где /Сдел - коэффициент деления развязывающего делителя.

Суммарное напряжение подается иа вход оконечного эмиттерного повторителя. Для развязки отдельных каскадов включае.м во внешних цепях /?С-фильт-ры с теми же параметрами, что и использованные в ИМ. Переходные конденсаторы, связывающие ИМ, выбираем из следующих соображений.

Фазоамплитудная характеристика, снимаемая с выхода канала ограничения, должна быть равномерной. Как указано выше, одной из причин фазовых уходов (точнее--фазоамплитудной нестабильности) при ограничении является действие возникающих при этом видеоимпульсов на вход следующего каскада. Видеоимпульсы возникают за счет асимметрии в каскаде ОК-ОБ, детектирования в буферном каскаде, реакции детектора. Чтобы исключить их влияние, И.И связываются конде1[саторами небольшой е.мкости. Активная входная проводимость ИМ с учетом базового резистора вх=1,4ч-2 мСм. При разделительной емкости Сп = 30 пФ постоянная времени входной цепи равна:

% = Сп Rbx = 600 -30. 10-2 = о, 0155 мкс .

Такая емкость обеспечивает дифференцирование видеоимпульсов и способствует стабилизации фазы сигнала при изменении амплитуды входных радиоимпульсов в пределах Двх-

Расчет амплитудной характеристики одного каскада ОК-ОБ проводим по формуле (76) и известным данным ИМ: Упред = 50 мВ, У2/2=12 мСм. Проводимость коллекторной нагрузки соответствует данным ИМ: па=2,2 мСм;

f/вых = St/nx 11 - 2 (1 - cos ф) 1 (ф)] ~ 2

f/вых = 5,5 Увх [1 - 2 (1 - cos ф) 1 (ф)], Угол отсечки определяется по формуле

cos ф =

пред

вх > f/пред

Результаты расчета сведены в табл. 1.

Таблица J

Ubx-	S-StBX. В	cos ф	Ф, град	1-COS ф	) (Ф)	2(]-С05ф)Х Ха1(Ф)	вых.
0,02	0,110						0,110
0,052	0,286	0,950		0,050	0,120	0,01	0,286
0,058	0,319	0,865	30°	0,135	0,200	0,056	0,310
0,093	0,511	0,540	57°	0,460	0,376	0,345	0,334
0,138	0,759	0,36	69°	0,641	0,432	0,555	0,337
0,200	1,10	0,250	75,5°	0.750	0,457	0.685	0,346

Далее строим амплитудную характеристику всего усилителя (без учета предварительного ослабления). Результаты расчета сведены в табл. 2.

Таблица 2

и, в

выхг мВ

- выха мВ

ВЫХ4* мВ

-ВЫХ5 мВ

и, В

вых.у. В

5-10-S 10-*

5-10-* 10-3

10-2

2-10-2 5-10-2

0,240 0,480 2.400 4,8

96 240

1,152 2,304 11,520 23,040 270 335 345

5,503 11,054 65,270

110,540

26,503	127,340	0,160	0,037
53,059	290,0	0,356	0,082
		0,754	0,173
		0,828	0,190
		1,353	0,311
		1,466	0,337
		1,620	0,373

Построение ЛАХ по табл. 2 показывает, что ее отклонение от логарифмического закона не превышает 15%- Расчетное определение фазовых сдвигов для одного каскада ОК-ОБ проведено по формулам (56), (80), (81). При этом принято, что при переходе в режим ограничения транзисторы создают добавочный фазовый сдвиг, определяемый из (56). С достаточной для практики точностью можно считать, что этот фазовый сдвиг появляется при вхождении каскада в режим ограничения и в дальнейшем не изменяется.

В.ходящие в (80) величины ?м.л и Явх.о рассчитывались с учетом шунтирующего сопротивления базового делителя Лдел=2 кОм по формуле

вх. о, л

/?дед -вх.о.л

Сопротивление Rbx.o рассчитывается по формуле (81). Входная емкость, входящая в (80), берется с учетом емкости .монтажа См = 2 пФ:

вх.о, л

CM-fBX.O, л

где емкость Свх.о рассчитывается по формуле (81). В расчете принято: Сп = = 30 пФ, /т=,1 ГГц, Свх.л = 15 пФ, /?вх.л=600 Ом (с учетом делителя), R\.ii = =850 Ом (без учета делителя). Результаты расчета для средней частоты fcp = = 60 МГц сведены в табл. 3.

Таблица 3

вх.о Ом

BX.Oi

ВХ-01

вх.о пф

а град

а. град

0,020 0,052 0,058 0,064 0,093 0,138 0,200

850 860 900 980 1280 1880 2650

600 600 900 980 1280 1880 2650

15 14,8 14,3 13,0 9,9 6,75 4,80

16,8

16,3

11,9 6,75 6,8

0,450 0,450 0,486 0,500 0,520 0,720 0.865

1,565	1,43		+3,8
1,560	1,43		+3,8
1.540	1,34	53,20
1,500	1,32		+ 1,8
1,400	1,22	50,6	-0,6
1,290	1,08	47,2	-4,0
1.210	1,04	46,2

Расчетное определение фазового сдвига, вносимого каскадом (а), производится по формуле (80), которую можно записать в следующем виде:

а = ф21о-<Р21л-(а1 - а).

щ = arc tg----= arctg Z;

2 = arc fg

Остальные величины определяются из соотношений:

л= 0.45(1 + -%)= 1,565;

а = arc tg---- = 55=;

ш т I 1

ф24о-ф21= 1.25/вр т = 3,8\

Как видно, фазовый сдвиг а при ограничении изменяется по сложному закону в пределах 7°, и его значение можно корректировать, подбирая емжость Си и шунтирующее сопротивление делителя Ддел- Расчетное значение фазового сдвига 5-каскадного усилителя составляет 25°. Включение переходных конденсаторов малой емкости (Сп=30 пФ), конечно, уменьшает общее усиление уси-лгггеля. Если это недопустимо, то проводится повторный расчет с у.меньшением коэффициента усиления ИМ, учитывающим влияние переходных конденсаторов. Набег фазы можно уменьшить-эмпирическим подбором емкостей Са и сопротивлений резисторов базовых делителей или применением компенсационных способов.

14. О расчете внешних параметров интегральных микросхем

Разработка усилителей на серийных ИМ связана с решением задачи об оптимальном выборе ИМ отдельных каскадов, опосо-бов связи между ними и структуры вспомогательных цепей с целью удовлетворения заданных требований. Применительно к широкополосным логарифмическим усилителям и усилителям с ограничением процесс расчета разделяется на два этала, соответствующих линейному и нелинейному режимам. Синтез усилителя в линейном режиме из готовых ИМ требует описания их такой системой внешних параметров, которая более пригодна в данном конкретном случае. Разработке таких систем параметров посвящена работа [40], В [37] предлагается описывать ИМ У-<парамет-рами подобно другим четырехполюсникам. В [40] аналитически определены У-параметры некоторых схемных конфигураций. Более общий подход состоит в описании ИМ матрицами проводимостей или сопротивлений [33]. Для составления матриц необходимо знать схемную конфигурацию ИМ, параметры элементов, влияющих на частотную характеристику, а также У-параметры транзисторов для рабочего режима ИМ в заданной полосе частот.

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 [ 23 ] 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38

ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.

Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы.