(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Солнечные элементы о-о-о-9-О-О-О 6-6-6-6-6-р-6
Рис. 2.18. Схемы строения границы раздела двух кубических монокристаллов с постоянными решеток jqi и аоз в плоскости (100) при наличии резкого перехода и полной компенсации дислокаций несоответствия за счет пластической деформации: а - проекция, перпендикулярная границе раздела, иллюстрирует формирование краевой дислокации; б - проекция, параллелы1ая границе раздела, на которой показан соответствующий набор линейных дислокаций (перпендикулярных границе раздела); кружками и квадратами обозначены атомы соответствующих материалов в области границы раздела [Aranovich/Califoinia, Stanford. Thesis, 1980]  Рис. 2.19. Полученный с помощью просвечивающего электронного микроскопа микроснимок области переменного состава образца (100) InjGaixI -GaP> изготовленного методом газовой эпитаксии. Дислокации расположены вдоль направлений [011]. Появлшие темных квадратных областей, вероятно, вызвано неровностями поверхности, образующими сетку перекрестных штрихов и связанными с несоответствием параметров кристаллических решеток [Olsen, Cryst. Giowth, 1975, vol. 3.1]  Рис. 2.20. Получеяный с помощью просвечивающего электронного микроскопа микроснимок в светлом поле поверхности раздела (011) GaAs и ЫхСлх-хР с несогласованными параметрами кристаллических решеток [Olsen, Ettenbeig, 1978]. Направление роста (100) вертикально. Показан классический источник, определяющий механизм размножения дислокаций Франка-Рида ментально установлено, что основная доля ненасыщенных связей оказывается компенсирована и лшпь небольшое количество активных связей влияет на электрические свойства материалов [Tansley, 1971]. Действие механических напряжений при несогласованных параметрах кристаллических решеток вызывает локальные вариации ширины запрещенной зоны, что может привести к существенным изменениям злектри-. ческих свойств, таким, как увеличение проводимости вдоль ядер дислокаций. Подобные эффекты возникают и на границах зерен в тонких поликристахшических пленках (см. гл. 6). При степени несоответствия параметров решеток, превьппающей некоторое критическое значение, обычно равное 1%, образуется густая сетка дислокаций, распространяющаяся от границы раздела в глубь полупроводникового слоя вдоль направления его роста [Olsen, Ettenberg, 1978] (рис. 2.20). Более сильные напряжения связаны с появлением трещин, в основном в толстых слоях, под влиянием растяжения (а не сжатия). Посредством эпитаксиального осаждения из паровой фазы изготовлены гетеропереходы In;cGai ;c As-GaAs [Olsen е. а., 1978] при составах дс, которым отвечает наличие дислокаций несоответствия вокруг участков с совершенной структурой. Авторы исследовали области, содержащие дислокации несоответствия с компенсированными полями упругих напряжений, оценили их влияние на параметры решетки и ширину запрещенной зоны, а также определили условия появления пластической деформации в результате образования и размножения дислокаций. На рис. 2.21 приведены данные по критическим деформациям и напряжениям при различных механизмах аннигиляции дислокаций и по их взаимосвязи 5* 67 L уменьшается L не изменяется L уменьшается  -1-10- -3-10- -1-10-3 h~<:mf Сжатие Область малых Si Cel/mf = 0,3-0,7 Растяжение Рис. 2.21. Критические деформация н напряжения н нх взаимосвязь с механическими н электрическими свойствами гетеропереходов на основе соединений III-V групп периодической системы [Olsen е. а., 1978]: L - диффузионная длина неосновных носителей заряда; е; - упругая дефор-ма1щя; Sffjf - деформа1Щя вследствие несоответствия параметров решеток; Sj -скорость рекомбинации носителей на границе раздела; 1 - образование дислокаций несоответствия; 2 - рост несовершенного кристалла; 3 - критическая упругая деформация, вызывающая размножение дислокаций; 4 - дислокации несоответствия у границы раздела; 5 - дислокации несоответствия отсутствуют; б -критическая деформация несоответствия, вызывающая образование трещин; 7 -трешины С механическими и электрическими свойствами соединений 111-V групп периодической системы элемштов. Если гетеропереходы изготовляют при повышенных температурах, то действие механических напряжений, безусловно, связано и с различием коэффициентов теплового расширения. Дислокации аналогичного типа могут образоваться на границе раздела в результате повреждшия поверхности при резке или полировке перед осаждшием второго слоя, образующего гетеропереход. Вопросы, связанные с наличием в гетеропереходе несовершенств собственного характера и возникших при формировании структуры, обсуждаются в [Fahrenbruch, Aranovich, 1979]. 2.4.2. Влияние поверхностных состояний на электрические свойства гетеропереходов Существование на границе раздела гетероперехода большого количества электрически активных состояний вызывает следующие эффекты. 1. Под влиянием заряда, содержащегося в этих состояниях, зона проводимости на границе раздела поднимается или опускается по отношению к уровню Ферми, соответствующему состоянию равновесия, что приводит к измшению энергетической зонной диаграммы. Значение поверхностной плотности этого заряда можно измерить емкостными методами. 2. Энергетические состояния образуют большое количество рекомбинационных центров, существованием которых объясняются большие значения Jo- Рекомбинационные характеристики поверхностных состояний можно описать количественно с помощью эффективной скорости реком-
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |