(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Линейные цепи германия), состоящий из трех областей с различным типом электропроводности. Область полупроводника, в которой электропроводность обусловлена свободными электронами, называют п-сбластью. Такую область получают при добавлении в полупроводник небольшого количества примесей химических элементов, атомы которых иглеют на один валентный электрон больше, чем атомы полупроводника. Если в полупроводниковую область добавить небольшое количество примесей химических элементов, атомы которых имеют на один валентный электрон меньше, чем атомы полупроводника, то получается область с незаполненными валентными связями атомов -дырками. Дырки можно рассматривать как элементарные носители положительного заряда. Перемещение электронов, заполняюнщх валентные связи, эквивалентно перемещению дырок в противоположном направлении. Область, в которой электропроводность обусловлена дырками, называют р-областью. У транзистора слон с дырочной и электронной электропроводностью чередуются. В соответствии с чередованием слоев различают транзисторы р-п-р-и п-р-п-типов. Транзистор р-п-р-типа имеет две р-области, одну из которых называют эмиттером (э), другую - коллектором (к). Эти области разделены п-областью, называемой базой (рис. 1.27, а). Каждая область с помощью металлического электрода соединяется с другими элементами цепи. Если к транзистору не подключены источники, то вследствие диффузии дырок (в п-область) и электронов (в р-области) на границе раздела областей создается электрическое поле, препятствующее дальнейшей диффузии носителей зарядов. Распределение потенциала электрического поля при этом показано на рис. 1.27, б. Разность потенциала на границе раздела областей называют потенциальным барьером р-п-перехода. При подключении к транзистору источников постоянных э. д. с. (рис. 1.27, а) снижается потенциальный барьер между эмиттером и базой и увеличивается потенциальный барьер между базой и коллектором (рис. 1.27, е). В результате дырки эмиттера диффундируют в область базы и, увлекаясь полем коллекторного перехода, попадают в область коллектора, образуя коллекторный  ток i. Вследствие малой толщины базы большая часть дырок, инжектированных эмиттером, достигает коллектора. Ток эмиттера /э лишь незначительно превышает ток коллектора. Разность токов и ik соответствует току базы: Транзистор типа п-р-п имеет эмиттер и коллектор электронной электропровод--ности, базу - дырочной электропроводности. Принцип действия транзистора аналогичен рассмотренному ранее. Однако в отличие от транзистора р-п-р-типа в транзисторе п-р-л-типа токи 4. обусловлены в основном движением электронов. Условное обозначение транзисторов р-п-р- и -р-й-типов показано соответственно на рис. 1.28, а, б. Если частота переменных составляющих токов и напряжений транзистора не слишком велика, его можно рассматривать как резистивный нелинейный элемент, описываемый семействами входных и выходных характеристик. Входные характеристики показывают зависимость тока ig от напряжения при постоянном напряжении и. Выходные характеристики отражают зависимость тока от напряжения к при постоянном токе i.   Lgf=COnst>0. Рис. 1.29 Ha рис. 1.29, a, б приведены соответственно входные и выходные характеристики транзистора р-п-р-тиа. Для транзистора п-р-п-типа при положительных направлениях токов и напряжений (см. рис. 1.28,6) входные и выходные характеристики совпадут с характеристиками транзистора р-п-р-типа, если у всех * В транзисторе р-п-р-типа дырки-основные носители заряда; токи t, к обусловлены главньм образом движением дырок Однако кроме дырочных составляющих токот имеются значительно меньшие составляющие, обусловленные движением электронов (неосновных носителей). величин (ig, /к. э к) на рис. 1.29 изменены знаки на противоположные. Напряжения Ug, представляют собой функции двух переменных; Ug = Ug(ig, ik); Эти напряжения, а также токи i, содержат в общем случае постоянные и переменные составляющие. Постоянные составляющие обеспечиваются источниками постоянных э. д. с. #э включаемыми, например, как показано на рис. 1.30, а (транзистор р-п-р-типа) и 1.30, б (транзистор п-р-п-типа).   Рис. 1.30 Для малых переменных составляющих напряжений записывают уравнения где Дгэ, Д/к -малые переменные составляющие эмиттерного и коллекторного токов. Частные производные ди di. 1 = const Йк = const dig = const--12 = -/-22 = const характеризуют параметры транзистора в соответствующей рабочей точке. Если транзистор работает в линейном режиме (рабочая точка не выходит за пределы линейных участков характеристик), то для переменных составляющих получаются линейные уравнения
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |