(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Малогабаритная радиоаппаратура (свойства) Транзиту Эта зависимость может быть нарушена из-за наличия тока поверхностной утечки, особенно при низких температурах, когда объемные токи /g о. эб.о Р больших напряжениях, когда поверхностный ток достаточно велик. Обратный ток коллекторного перехода /в о является основным дестабилизирующим фактором в реальных схемах. Начальный ток коллектора У - ток в цепи коллектор - эмиттер при замкнутых эмиттере и базе н заданном напряжении на коллекторе j(pHC. IV.19). В некоторых случаях указывается начальный ток коллектора при включении между базой н эмиттером сопротивления определенной величины. Тон коллектора запертого транзистора -ток коллектора при обратном снещении эмнттерного перевода и заданных напряжениях на -эмиттере и колкторе Малоснгнальвые нараметры характеризуют работу транзистора при воздействии малого сигнала. Малым следует считать сигнал, увеличение амплитуды которого иа 50% увеличивает измеряемый параметр на малую величин у соответственно заданной степени точности. Обычно : то увеличение не должно превышать 10%. Прн этом можно рассматривать транзкстор как линейную систему, что облегчает расчет большого класса схем, Прн воздействии малого сигнала транзистор рассматривают как линейный активный несиммет- Рис. IV.20. Схема четырехполюсника , эквивалентного транзистору. ?г * j;j-02 If?- Рис lV-2]. Схемы включения транзистора. ОБ - с общей базой; ОЭ - с йб1цин энотгерои; ОК - с общин коллектором. рнчный четырехполюсник (рис. IV.20). Этот четырехполюсник имеет ту особенность, что у него всегда один из зажимов ивляется общим для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой нз электродов транзистора подключен к общему зажиму, различают схемы с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Варианты схем включения транзистора приведены на рнс. IV.21 К малосигнальным относятся ft-параметры (преимущественно для низких частот) и у-параметры (преимущественно для высоких частот), параметры схемы замещения транзистора, предельные и граничные частоты и коэффициент шумов. В соответствии с теорив четырехполюсников входные и выходные напряжения н токи (t/j, /j и /д) однозначно связаны между собой системой двух уравнений, содержащей четыре параметра четырехполюсника. Система h-параметров получила наиболее широкое распространение. Она удобна, так как требует воспроизведения холостого хода на входе (/j = 0) и короткого замыкания на выходе - 0), что легко осуществимо прн измерениях. Уравнения четырехполюсника в этой системе параметров имеют вид: Физический смысл /[-параметров определяют следующим образом hit = входное сопротивление транэист<ч>а при воротко- анкнутои выходе = 0); = У* - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом по переменному току входе (/ = 0); yh=Y - коэффициент передачи тоиа при короткоэашсяутом выходе {U = 0); = j-r-- аъ1хо}иая проводимость при разомкнутом по пере- менному току входе (/j = 0), Измерение Л-параметров может производиться в трех схемах включения транзисторов (ОБ, ОЭ, ОК). Величины Л-параметров зависят как от свойств транзисторов, так и от схемы их включения. Связь между ?1-параметрамн в трех схемах включения определяется следующими формулами: 11Л - Т-i-г- llif = . Ml9 229 . 12в - I h.. l2ic - + 219 22э 226 --ГХЦ- 22К - 22э- Для наиболее часто используемых параметров (коэффициент усиления по току в схемах с ОБ и ОЭ) приняты особые обозначения; 216 = -Л219=Р- rllf~C Зависимость между вир определяется следующим выражением: Так как малоснгнальные параметры измеряются на низкой частоте (в основном 270 и ЮОО Гц), то все Л-параметры являются действительными величинами. Система у-параметров используется преимущественно при расчете работы транзисторов на высоких частотах. По способу определения -параметры являются параметрами короткого замыкания Связь между А- и -параметрами выражается следующими формулами 12 ~ - - У12 ~~ Т- Уг\ ai 1, Уа1 fill Ун , 11 А - ft Ual ва - H29--Г > аэ - ва--й Vli II Большое сходство харак-гернстчх для схемы с общнм эмяттерои с характеристиками электронных ламп позволяет в некоторых случаях использовать методы расчета ламповых схем для расчета устройств на транзисторах. Ниже дается связь между ламповыми н -параметрами транзистора. Крутизна Д/к Внутреннее сопротявлеяяе Высокочастотные нараметры характеризуют работу транзисторов на высоких частотах Предельные часготы определяются по значению параметра, соответствующему пределу, выше которого транзистор не может быть использован как усилительный элемент. Предельная частота коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером определяется значением частоты, пря которой модуль Agia = 1. Предельная частота / ас коэффициента усиления по моиности определяется значением частоты, пря которой усиление транзистора по мощности становятся равным едянице Предаьная частота коэффициента тумов определяется значением частоты, выше которой начинается резкое возрастание уровня внутренних шумов транзистора Частоты / здо н могут быть определены по значению нредель-ной частоты по следующим формулам-
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |