Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Малогабаритная радиоаппаратура (свойства) 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 [ 75 ] 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186

При плотной компоновке элементов внутри аппаратуры или больших мощностях рассеивапня в приборе применение радиаторов, расположенных внутри блока, становит(;я малоэффективным, В том случае целесообразно располагать Мощные транзисторы не-(осредствеино на корпусе прибора или на специальных радиаторах, контактирующих с внешней средой,

При креплении транзисторов к радиатору необходимо обеспечить надежный тепловой контакт. Контактирующая с транзисто-ром поверхность радиатора должна иметь хорошую плоскостность, не иметь заусениц или царапин. Для каждого вывода транзистора следует просверливать отдельное отверстие минимального диаметра. Крепление транзистора к радиатору должно производиться с использованием всех предусмотренных средств (болты, фланцы, резьбовые отверстия). Для электрической изоляции транзистора от радиатора можно использовать прокладки из слюды, фторопластовой пленки толщиной в несколько десятков микрон, металлоке-рамические прокладки, а также радиаторы с глубоким анодированием Во всех случаях необходимо стремиться к электрической изоляции радиатора от корпуса прибора, а не к изоляции транзистора от радиатора.

Если в семе используется нескоД1гко транзисторов, включенных параллельно, необходимо обеспечить хороший тепловой кон-

5акт между ними. То.,т!ько в этом случае тепловой режим приборов удет устойчивым и идентичным. Располагать такие транзисторы необходимо на общем теплоотводе. В противном случае перегрев одного из транзисторов приведет к увеличению мощности, рассеиваемой этим прибором за счет уменьшения нагрузки на остальных.

Правила установки и включения транзисторов, 1. Крепле[[ие транзисторов производить за корпус (мощные транзисторы крепить прн помощи предусмотренных конструкций средств: болтов, специальных фланцев).

2. Изгиб выводов производить на расстоянии не менее 10 мм от корпуса (если нет других указании). Изгиб жестких выводов мощных транзисторов запрещается.

3. Не располагать транзисторы вблизи 5лементов с большим тепловыделением (мощных электронных ламп, силовых трансформаторов и I. д.).

4. Не устанавливать транзисторы в сильных магнитных полях как гшстоянных, так и переменных.

5 Пайку производигь ие ближе Ю мм от корпуса транзистора. Необходимо обеспечить теплоотвод между местом панки и корпусом. Время пайки должно быть минимальным (2-3 с). Следует применять низкотемпературные припои. Температура припоя не должна превышать 260° С (например, припой ПОС-40).

6. Выводы базы включать в схему первыми и отключать последними. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отключенной базой,

7. Замену транзисторов в схеме производить только при выключенных источниках питания

§ 3. Полевые транзисторы

Полевые транзпсюры - универсальные активные приборы, применяемые в широком классе радиоэлектронных устройств. Существует две разновидности полевых транзисторов: полевые тран-

8* 22Г



зисторы с р-п-переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором (МОП транзисторы).

Работа полевых транзисторов основана на движении основных носителей в полупроводнвке. Управленве током в выходной дбни осуществляется управляющим напряженяем, поэтому нх усилительные свойства, как н у электронных ламп, характерязуются крутизной.

Полевой транзистор состоит из полупроводникового стержня (канала) с омическим выводом от каждого конца. На поверхности канала с противоположных сторон формируется р~-л-переход таким образом, чтобы он был параллелен направлению тока. Вывод, от которого носители начинают свой путь (положительный дли р-канала и отрицательный дли п-канала), называется истоком, противоположный вывод, к которому приходят носятели, называется стоком. Третий вывод ог р-л-перехода называется затвором.

Электрическое поле, создаваемое затвором, изменяет плотность носителей зарядов в канале, т. е. изменяет величину протекающего тока. Так как управление пронсходит через обратно смещенный р-л-переход, сопротивление между каналом и управляющим электродом велико, а ток затвора мал.

В полевых транзисторах с МОП-структурой затвор отделен от канала тонким изолирующим слоем. При очень тонком изолирующем слое проникновение поля в канал не затрудняется, а ток затвора при этом значительно уменьшается и не зависит от полярности приложенного к затвору напряжения (в отличие от полевых транзисторов с р-ft-переходом).

Каналы полевых транзисторов с МОП-структурой по физическим свойствам разделяются па встроенные (обедненного типа) и видуцированные (обогащенного типа). По встроенному каналу течет ток в отсутствие напряжения на затворе, если приложить напряжение между стоком и истоком. Это так называемый начальный ток стока. Величиной тока стока можно управлять, изменяя величину и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р-каиалом илн отрицательном транзистора с п-каналом ток в цепи стока прекращается.

В полевом транзисторе с индуцированньш каналом прн отсутствии напряжения на затворе ток между стоком я истоком очень мал. Прн подаче на затвор транзистора с р-каналом отрицательного напряжения (положительного длн транзистора Q п-каналом) по отношению к истоку ток между стоком и истоком увеличи вается.

Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общнм для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов полевого транзнстора подключен к общему выводу, различают схемы:

с общим истоком и входом на затвор;

с общим стоком и входом на затвор}

с общнм затвором и входом на исток.

Варианты схем включения полевого транзистора показаны иа рис. IV.38.

По аналогии с ламповой электроникой, где за типовую принята схема с общим катодом, для полевых транзисторов типовой является схема с общим истоком, и характеристики элементов четырех-



полюсиика удобней всего определять в системе проводйностеб, или -параметров. В общем виде уравйеиня четырехполюсника ш системе у-параметров записываются так:

I. h

ff-p-i гЯ-?г /у-4=;~ j-3--az fflf-p, p?-02

1 L©! -©i 1

I J J-*г ТЯ I £j-- z 10- 1-иг

Рис. IV.38. Схема включении полевых транзисторов:

в - с общим истоком; б - с общим стоком; о - с общим затвором

Истк

5Щи Итак

Рис. IV.39. Эквивалеигиая схема полевого транзистора.

где 1у, /д, £2 - соответственно малые прЕащеиия токов н напряжений на входе и выходе четырехполюсника.

Эквивалентная схема полевого транзистора, элементы которой выражены через (/-параметры, приведена иа рнс. IV.39. При таком подключении каждая из проводимостей имеет физический смысл.

Входиаи проводимость определяется проводимостью участка затвор - исток Уш = Уг\ + la-

Выходная проводимость определ яется проводимостью участка сток - исток

Функция прямой пере-дачя определяется крутизной вольтампернои характеристики 5 = Sal - Ух%-

Функция обратной передачи определяется проходной проводимостью у = у-.

Эти параметр ы пр ивима ются за первичи ые па раметр ы пол е-вого транзистора, используемого в качестве четырехполюсника. Еслн первичные параметры четырехполюсника для схемы с общим истоком определены, то можно произвести расчет параметров для любой лугой схемы включения полевого транзистора.

Вольтамперные характеристики полевого транзистора содержат в себе информацию о его свойствах во всех режимах работы и о связях параметров между собой. По вольтаиперным характеристикам можно определить ряд параметров, не приводимых в справочной литературе, а также произвести расчеты цепей смещения, стабилизацию режима, оценку работы транзистора в широком диапазоне токов и напряжений. Обычно используют два семейства статических вольтамперных характеристик: сток-затворные (переходные) и стоковые (выходные).



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 [ 75 ] 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.