Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  База цифровых устройств 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 [ 68 ] 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176

случае опрашиваемые транзисторы открываются и перелают напряжение Ucc на линии считывания

Среди отечественных РПЗУ-УФ (в маркировке они имеют буквы РФ) наиболее извссгна серия К573 с широким набором типономиналов, а среди РПЗУ-ЭС (в маркировке имеют буквы РР) имеются серии КР558 (на основе п-МНОП), К1609, К1624, KI626 на ЛИЗМОП с двумя затворами.

Столбец О

Линия выборки (Строка 0 1


к усилителям считывания

Рис. 4.17. Схема подключений ЛИЗМОП-транзисторов с двойным затвором к линиям выборки и считывания в РПЗУ

Отечественные ROM характеризуются в настоящее время следующими параметрами: масочные ИС имеют информационную емкость до I Мбта при временах доступа около 200 не, микросхемы с плавкими перемычками соответственно 64 Кбита и 80 не, РПЗУ-УФ 1 Мбит и 350 не, РПЗУ-ЭС 64 Кбита и 250 не.

На уровне мировой техники имеются ЗУ типа РПЗУ-УФ с информационной емкостью до 8 Мбит при временах доступа 45 не (фирма Atmel), ЗУ типа РПЗУ-ЭС с информационной емкостью до 256 Кбит при временах доступа 90 НС и допустимом числе циклов перезаписи 10 с временем сохранения данных более 10 лет Это ЗУ использует один источник питания 5 В и потребляет ток 2 мА в активном режиме и 100 мкА при отсутствии обращений. Возможна байтовая или страничная запись за время 3 мс (фирма SGS-Thomson).

Импульсное питание ROM

Энергонезависимость всех ROM, сохраняющих информацию при отключении питания, открывает возможности экономии питания при их эксплуатации и соответственно, улучшения их теплового режима, что повышает надежность схем. Питание можно подавать только на ИС. к которой в дашЕый момент происходит обращение. На рис. 4.18 показан обычный вариант по-



ROM V

Ucc?

-фС5

ROM V

t-4cs

Рис. 4,18. Модули постоянной памяти с обычным (а) и импульсным (б) питанием

Режим импульсного питания может многократно уменьшить потребляемую модулем мощность, но, одновременно, увеличивает время обращения к ЗУ при одиночных произвольных обращениях, т. к. после включения тштания необходимо время для установления режима ИС.

При чтении данных, расположенных по близким адресам, когда старшие раЗ)тяды адреса остаются неизменными, потерь времени не возникает.

§4.4. Флэш-память

Флзтн-память (Flash-Mernory) по типу запоминающих элементов и основным принципам работы подобна памяти типа EEPROM, однако ряд архитектурных и структурных особенностей позволяют вьщелить ее в отдельный класс. Разработка Флэш-памяти считается кульминацией десятилетнего раз-I вития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации.

В схемах Флэш-памяти не предусмотрено стирание отдельных слов, стирание инффмации осуществляется либо для всей памяш одновременно, либо лля 1 встаточно больших блоков. Понятно, что это позволяет упростить схемы ЗУ,

строения модуля памяти, состоящего из нескольких ИС, и вариант с импульсным питанием. В обычном варианте напряжение Uc подключается ко всем ИС постоянно, а выбор адресуемой ИС осуществляется сигналом CS . В варианте с импульсным питанием работа всех ИС по входам CS постоянно разрешена, но питание подключается только к выбранной микросхеме с помощью ключа, управляемого от выходов адресного дешифратора, деколп-pyraniero старшие разряды адреса-



206 Цифровая схемотехника

т. е. способствует достижению высокого уровня интеграции и быстродействия при снижении стоимости. Технологически схемы Флэш-памяти вьтолняются с высоким качеством и обладают очень хорошими параметрами. Термин Flash по одной mj версий связан с характерной особенностью этого вида памяти - возможностью одновременного стирания всего ее объема Согласно этой версии ещё до появления Флэш-памяти при хранении секретных данных использовались устройства, которые при попытках несанкционированного доступа к ним автоматически стирали хранимую информацию и назывались устройствами типа Flash (вспышка, мгновение). Это название перешло и к памяти, обладавшей свойством быстрого стирания всего массива данных одним сигналом.

Одновременное стирание всей информации ЗУ реализуется наиболее просто, но имеет тот недостаток, что даже замена одного слова в ЗУ требует стирания и новой записи для всего ЗУ в целом. Для многих применений это неудобно. Поэтому наряду со схемами с одновременным стиранием всего содержимого имеются схемы с блочной структурой, в которых весь массив памяти делится на блоки, стираемые независимо друг от друга. Объем таких блоков сильно разнится: от 256 байт до 128 Кбайт.

Число циклов репрограммирования для Флэш-памяти хотя и велико, но ограничено, т. е. ячейки при перезаписи изнашиваются . Чтобы увеличить долговечность памяти, в ее работе используются специальные алгоритмы, способствующие разравниванию числа перезаписей по всем блокам микросхемы.

Соответственно областям применения Флэш-память имеет архитектурные и схемотехнические разновидности. Двумя основными направлениями эффективного использования Флэш-памяти являются хранение не очень часто изменяемых донных (обновляемых программ, в частности) и замена памяти на магнитных дисках.

Для первого направления в связи с редким обновлением содержимого параметры циююв стирания и записи не столь существенны как информационная емкость и скорость считывания информации. Стирание в этих схемах может быть как одновременным для всей памяти, так и блочным. Среди устройств с блочным стиранием выделяют схемы со специализированными блоками (несимметричные блочные структуры). По имени так называемых Boot-блоков, в которых информация надежно защищена аппаратными срсп-ствами от случайного стирания, эти ЗУ называют Boot Block Fta.<:h Memory. Boot-блоки хранят программы инициализации системы, позволяюшие ввести ее в рабочее состояние после включения питания.

Микросхемы для замены жестких магнитных дисков (Flash-Hle Memory) содержат более развитые средства перезаписи информации и имеют идентичные блоки (симметричные блочные структуры).



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 [ 68 ] 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.