Параметр

Обозна-

Единица

Тип транзистора

чение

КТ825Г

КТ825Д

КТ825Е

KT826A

КТ826Б

КТ826В

Обратный ток коллектора прн £кб> б**

Обратный ток эмиттера при Uq, В*

Режим измерения А-параметров

10

напряжение коллектора

ток коллектора

Коэффициент передачи тока

(0.75...18)х

(0.75...18)Х

(0.75...18)х Х10з

Ю...12

10...120

10...120

х103

Граничная частота коэффициента передачи

f гр

Емкость коллекторного перехода

Постоянная времени цепи обратной связи

Максимально,допустимые параметры

постоянное напряжение коллектор - база

КБ шах

постоянное напряжение коллектор - эмиттер

КЭтах

постоянное напряжение эмиттер - база

ЭБ max

постоянный ток коллектора

к max

0.75

постоянный ток базы

в max

0,75

0,75

рассеиваемая мощность без теплоотаода

15 +100 -60

рассеиваемая мощность с теплоотводом

РТтах

Максимальная температура окружающей среды

°С

+100

+100

+ 100

+100

+100

Минимальная температура окружающей среды

Общее тепловое сопротивление транзистсза

Тп.с

ос/Вт

Внутреннее теиловде сопротивление

Т п.к

°С/Вт

Тип перехода, материал

п-р, кремний

-р-п, кремний

Конструкция (номер рисунка)

IV.40, а

Основное назиачеиие

Для импульсных усилителей

Дл-я преобразователей посто

мощности.

стабилизаторов тока

явного

напряжения. высоко-стабилизаторов

и напряжения

вольтных

Параметр

Обозна-

Еди-

Тип транзистора

чение

ница

КТ827А

КТ827Б

КТ827В

КТ828А

1 КТ828Б

Обратный *ж коллектора при Uj, В**

5/1400

5/1200

Обратный ток эмиттера при U, В*

10/5

10/5

Режим измерения йч1араметров

напряжение коллектора

ток коллектора

Коэффициент передачи тока

(0,75...18).103

(0,75...18).103

(0,75...18)-10з

>2,25

>2,25

Граничная частота коэффициента передачи

Емкость коллекторного перехода

400

Постоянная времени цепи обратной связи

Максимально допустимые параметры

<

постоянное напряжение коллектор - база

КБ max

постоянное напряжение коллектор- эмнттер

КЭ max

постоянное напряжение эмнттер -> база

ЭБ max

постоянный ток коллектора

к max

постоянный ток базы

Б max

рассеиваемая мощность без теплоотвода

рассеиваемая мощность с теплоотводом

Т max

Максимальная температура окружающей среды

°С

4-100

4-100

+ 100

+100

+ 100

Минимальная температура окружающей среды

Общее тепловое сопротивление транзистора

Т п.с

°С/Вт

Внутреннее тепловое сопротивление

Тп.к

°С/Вт

Тип перехода, материал

-п, кремний

Конструкция (номер рисунка)

1V.40, а

Основное назначение

Для импульсных усилителе

5 мощности.

Для высоковольтных

стабилизаторов тока и напряжения, пере-

ключевых схем

ключающих устройств

источников питания

Параметр

Обозна-

Еди-

Тип транзистора

чение

ница

КТ829А

КТ829Б

КТ829В

КТ829Г

КТ834А

КТ834Б

1 - КТ834В

Обратный ток коллектора при Скб* **

3/500

3/500

3/500

Обратный ток эмпттера при Uq, B*J

50/5

50/5

50/5

Режим измерения /г-параметров

напряжение коллектора

ток коллектора

Коэффициент передачи тока

>750

>750

>750

>750

>150

>150

>150

Граничная частота коэффициента передачи

Е1лкость коллекторного перехода

Постоянная времени цепи обратной связи

Ск

Максимально допустимые параметры

постоянное напряжение коллектор - база

кь п-ах

. -

постоянное напряжение коллектор - эмиттер

КЭ max

постоянное напряжение эмиттер - база

ЭБ max

постоянный ток коллектора

К max

постоянный ток базы

Б max

рассеиваемая мощность без теплоотвода

max

рассеиваемая мощность с теплоотводом

Т max

Максимальная температура окружающей среды

°С

-J-85

Минимальная температура окружающей среды

°С

Общее тепловое сопротивление транзистора

Т П.С

С/Вт

Внутреннее тепловое сопротивление

Т п.к

°С/Вт

2,08

2,08

2,08

2,08

Тип перехода, материал

п-р-п

, кремний

-р-п, кремний

Конструкция (номер рисунка)

IV.40, и

IV.40, а

Основное назначение

Для УЗЧ, ключевых устройств

Для устройств

управления

двигателями, вторичных ис-

точников электропитания, ста-