Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Полупроводниковая схемотехнология 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 [ 10 ] 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168

коллекторного тока 1с, при отсутствии сигнала получим базовый ток

h = Ув.

Этот ток должен протекать через Ri, величину которого определим из выражения

1 =(1 - Ubea)/Ib~V/Is.

Поскольку И*, как правило, велико по сравнению с UgE, то Uga практически не влияет на базовый ток. Это в значительной степени устраняет источник дрейфа. Однако температурная зависимость коэффициента усиления по Току В остается, причем В увеличивается примерно на 1% при повышении температуры на один градус. Кроме того, недостатком является то обстоятельство, что относительно большие разбросы В сушественно изменяют коллекторный ток и потенциал коллектора при отсутствии сигнала.

При использовании германиевых транзисторов в этой схеме необходимо принимать во внимание обратные токи, так как они примерно в 1000 раз больше, чем у кремниевых транзисторов. Обратный ток перехода коллектор-база /своне проходит в этом случае через низкоомное сопротивление по пути к обшей точке, поэтому он складывается с базовым током; следовательно.

J с = сво + B{h + JcBol

Так как для германиевых транзисторов токи 1д и IcBO имеют один и тот же порядок, то они вносят значительную нестабильность рабочей точки. Поэтому рассмотренная схема так же мало подходит для германиевых транзисторов, как и предьщу-щая.

Входное сопротивление схемы = = Ri II г be значительно больше, чем при установке рабочей точки с помощью делителя напряжения. Это является недостатком, так как транзистор довольно долго остается закрытым при воздействии большого положительного входного импульса. В результате вместо кратковременного заряда конденсатора С через переход база-эмиттер происходит медленный разряд его через резистор Rj.

Установка рабочей точки с помощью отрицательной обратной связи по току

Улучшение стабильности рабочей точки достигается при использовании отрицательной обратной связи на низких частотах. Для этой цели служит цепь ReCe на рис. 4.18. При этом дрейф напряжения база-эмиттер усиливается

в Rc/Re раз. Ва-

Рис. .4.18. Стабилизация рабочей точки с помощью отрицательной обратной связи по постоянному току.

риант с использованием двух источников- положительной и отрицательной полярности-приведен на рис. 4.19. В этом случае базовый потенциал при отсутствии сигнала


Рис. 4.19. Упрощенная схема стабилизации рабочей точки с дополнительным отрицательным питающим напряжением.

можно сделать равным нулю; делитель напряжения на входе становится излишним, если входной источник обеспечивает цепь для постоянного базового тока при отсутствии сигнала.

Если отрицательная обратная связь нежелательна, конденсатор Q должен шунтировать переменное напряжение в требуемой области частот. Для определения требований к его номиналу рассмотрим частотную характеристику усиления, обусловленную Се- с этой целью заменим в формуле (4.14) Re на I

jwCe 1

(4.22)



При частотах выше /i = 1/2лКеСе модуль полученного импеданса уменьшается, т.е. коэффициент усиления возрастает пропорционально частоте и достигает значения SRc (рис. 4.20). Отсюда следует, что

Если требуется осуществить неглубокую отрицательную обратную связь по переменному напряжению, можно включить

A(MZ)i


Рис. 4.20. Воздействие конденсатора Q на частотную характеристику усиления.

резистор RE < Rg последовательно с конденсатором Q.

Выбор параметров схемы, изображенной на рис. 4.18, поясним на числовом примере. Источник имеет внутреннее сопротивление Rg = 10 кОм. Коэффициент усиления по току транзистора В = р 250, питаюшее напряжение У = 15 В. Для того чтобы источник сигнала не был слишком сильно нагружен, выберем коллекторный ток небольшим, таким, чтобы для переменных напряжений входное сопротивление составило не менее 20 кОм. Это входное сопротивление состоит из параллельно соединенных сопротивлений Rj, R2 и Гщ, так как конденсатор Q в рассматриваемой области частот можно представить в виде короткозамкнутой перемычки. Выберем 1с = 200 мкА и из формулы (4.11) найдем

250-26 мВ 200 мкА

32,5 кОм.

Если делитель напряжения KjKj выбрать надлежащим образом, то можно выполнить указанное выше требование обеспечения результирующего входного сопротивления 20кОм.

Далее необходимо установить потенциал при отсутствии сигнала. Стабильность рабочей точки тем лучше, чем больше падение постоянного напряжения на R, так как в этом случае изменение Ube остается меньше и, следовательно, влияние коллекторного тока будет незначительным. Если выбрать = 2 В, то коллекторный ток изменится только на

dIc/дВ дУЕ/дд 2 мВ/К 0,1%

При установке потенциала коллектора в отсутствие сигнала необходимо следить за тем, чтобы напряжение коллек-торр-эмиттер транзистора во время его работы не падало до напряжения насыщения UcEaac * 0>3 В, ПОСКОЛЬКУ В ПрОТИВНОМ

случае параметры Р, S и г в соответствии с характеристиками рис. 4.6 значительно уменьшатся. Попадание транзистора в режим насыщения может привести к сильным нелинейным искажениям. С другой стороны, потенциал коллектора при отсутствии сигнала необходимо выбирать не очень большим, так как иначе падение напряжения на R и коэффициент усиления по напряжению будут малы. Положим, что наибольший сигаал на выходе должен составлять Асщ = ± 2 В относительно потенциала при отсутствии сигнала. Тогда получим

VcA >Ve+K

СЕ мин

Смаке

= 2В + 1В--2В = 5В.

Для того чтобы это значение с учетом допусков на Ubea> и резисторы нельзя было превысить, выберем Uc ~ 7 В. Рассчитаем для этого случая номиналы резисторов Rc и Rg.

200 мкА

10 кОм,

Rc =

V* -VcA 15 В - 7 В

40 кОм.

1с 200 мкЛ

При этом дрейф потенциала коллектора при отсутствии сигнала равен

мВ Rc

- 8 мВ/К.



Далее необходимо установить базовый потенциал при отсутствии сигнала таким образом, чтобы падение напряжения на Re составляло ~ 2 В. Согласно рис. 4.5, при малых коллекторных токах Ug равняется около 0,6 В. Отсюда следует

Vb=Ve- Ubea- 2,6 В.

Базовый ток равен

1д = IJB = 200 мкА/250 = 0,8 мкА.

Он не должен существенно влиять на базовый потенциал. Поэтому через делитель напряжения R, R2 должен протекать шунтирующий ток, составляющий ~ 101 д. Для этого необходимо, чтобы

1 =

15 В-2,6 В 8 мкА - 0,8 мкА 2,6 В

1,4 МОм,

8 мкА

= 330 кОм.

Рассчитанные, значения номиналов резисторов указаны на рис. 4.21. Входное сопротивление по переменному току составляет

= и Jig = ГдеЦ/?! II J?2 = 29кОм.

Для коллекторного тока 200 мА сопротивление Гсе равно 500 кОм. Тогда с учетом формулы (4.8) найдем коэффициент усиления по напряжению для ненагруженного каскада

( с II се) = -285.

Для выходного сопротивления получим

и ==0

ClrCE -

40 кОм 500 кОм = 37 кОм.

+ 158 1

<

1,4 MOM . Се

ЗВОиФ ЗЗОкОм

+ ?5в

40кОм 2.6В

Таким образом, усиление э.д.с. генератора сигнала при = 100 кОм составит

Rl= 100 кОм Rg + е

= -139.

Это значение сохраняется до нижней частоты = 20 Гц. Поскольку схема содержит три фильтра верхних частот, то нужно выбрать частоты среза этих фильтров в пределах до f. Положим, что эти частоты равны; используя формулу (2.19), найдем

Л 11\Г = 20 Гц/1/з = 11,5 Гц. При этом получим

Се = 1/[271/,(Л, -I- О] = 0,36 мкФ,

Се = Sllnfg = Ic/2nfgUTX 100 мкФ, С = 1/[2л4(г,-Ь J?i)]*100hO.

4.3. СХЕМА С ОБЩЕЙ БАЗОЙ

Если схему с общей базой (рис. 4.22) сравнить со схемой с общим эмиттером (рис. 4.10), то можно увидеть, что источник напряжения сигнала включен между одними и теми же выводами. Поэтому получается то же усиление по напряжению, хотя и с положительным знаком, так как вместо dUgE = dUg здесь имеет место со-


Рис. 4.22. Схема с общей базой.

Коэффициент усиления по напряжению А >= 5(Rr£). Входное сопротивление г. а 1/S. Выходное сопротивление г £ ft.

ЮкОм

2В ЮОнФ

1 I

ткои

Рис. 4.21. К примеру расчета параметров низкочастотного каскада усиления.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 [ 10 ] 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.