(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Полупроводниковая схемотехнология довательно, U X I/, независимо от нагрузки. Мощность в нагрузке обратно пропорциональна сопротивлению R и не имеет экстремума. Таким образом, в схеме не требуется согласования нагрузки, и максимальная мощность на выходе определяется лишь предельным током и максимальной мощностью рассеяния используемых транзисторов. При полном изменении уровня синусоидального сигнала- эта мощность равна Р. = Vl/2R . Вычислим теперь -мощность, рассеиваемую на транзисторе (мощность, рассеиваемая на транзисторе Tj, из-за симметрии схемы будет такой же):  О 0,1 0,2 0.Ъ 0,4 0,5 0,6 0.7 0,8 0,9 1.0 0 /)/ Рис. 15.3. Распределение мощности в комплементарном эмиттерном повторителе. J-потребляемая моишость; 2-моишость в нагрузке; 3-мощ-иость, рассеиваемая на каждом транзисторе. Для синусоидального входного сигнала При {/а = О мощность, рассеивасмая на транзисторах, как и следовало ожидать, равна нулю. При = она равна (nV-R ) [(4 - тп-\ 0,0685iVllR:).. Отсюда следует, что коэффициент полезного действия схемы составляет Реум ЗРтч -I- Р,. - 78,5%. 2-0,0685 -1-0,5 Максимальная мощность рассеивается на транзисторах не при полной амплитуде выходного сигнала, а при 17, = (2/71) что следует из условия экстремума dPn/dU = 0. В этом случае на каждом транзисторе рассеивается мощность Рт.с = {l/n){Vl/R ) = 0,UVi/RJ. Зависимость выходной, рассеиваемой и потребляемой мощности от амплитуды выходного сигнала показана на рис. 15.3. Как уже отмечалось выше, в каждый момент времени открыт только один из транзисторов. Однако это справедлиро только для частот входного сигнала, не превышающих частоту пропускания используемых транзисторов. Из открытого состояния в закрытое транзистор переходит за определенный промежуток времени. Если длительность колебаний входного напряжения меньше этого промежутка времени, оба транзистора могут оказаться открытыми одновременно. При этом через открытые транзисторы от +Vk -V будет течь большой ток, который может привести к мгновенному разрушению транзисторов. Колебания с такой критической частотой могут возникнуть также в усилителях, охваченных отрицательной обратной связью, или даже тогда, когда нагрузка эмиттерного повторителя носит емкостной характер. Для защиты транзисторов следует предусмотреть ограничение тока. 15.2.2. КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ В РЕЖИМЕ АВ На рис. 15.4 показана переходная характеристика = ии) для двухтактного режима В, которая соответствует схеме, Рис 15.4. Переходные искажения в двухтактном режиме В. рассмотренной в предыдущем разделе. Вблизи нуля ток в открытом транзисторе очень мал, а внутреннее сопротивление - большое. В результате прирост напряжения на нагрузке в этой области оказывается меньше, чем изменение входного сигнала. Это и является причиной появления излома характеристики вблизи нуля. Возникающие при этом искажения выходного напряжения называют переходными искажениями. При задании небольшого тока покоя транзисторов их внутреннее сопро-тавление уменьшается, а переходная характеристика изменяется и принимает вид, показанный на рис. 15.5. Видно, что при этом переходные искажения существенно уменьшаются. Пунктиром показаны переходные характеристики отдельных транзисторов повторителя. Если задать ток покоя равным максимальному току в нагрузке, то такой режим работы аналогичен ранее рассмотренному в схеме на рис. 15.1 и в данном случае будет называться двухтактным режимом А. Однако переходные искажения в достаточной степени уменьшены, даже если ток покоя составляет незначительную часть максимального тока в нагрузке. Такой режим работы усилителя называют двухтактным режимом АВ. В этом режиме переходные искажения настолько малы, что с помощью обратной связи могут быть легко снижены до пренебрежимо малой величины. В схеме могут возникать также искажения, связанные с неодинаковым усилением отрицательных и положительных напряжений. Они, как правило, возникают, когда ко входу комплементарного эмиттерного повторителя подключен высокоомный источник сигнала и транзисторы имеют различные коэффициенты передачи тока. Поэтому, если в схеме не предусмотрено глубокой отрицательной обратной связи, следует подбирать транзисторы с как можно более близкими коэффициентами передачи тока. На рис. 15.6 приведена принципиальная схема двухтактного каскада, реализующего режим АВ. Для обеспечения малого значения тока покоя следует приложить постоянное напряжение порядка 1,4 В между базовыми выводами транзисторов и Т. Если напряженияя Ui а U2 равны, выходной потенциал покоя равен входному потенциалу покоя. Можно также начальное смещение задавать с помощью одного источника напряжения t/3 = t/j -(- t/j, как  Рис. 15.5. Переходные искажения в двухтактном Рис. 15.6. Установка режима АВ с помощью режиме АВ. двух источников напряжения. к, I Рис. 15.7. Установка режима АВ с помощью одного источника напряжения. показано на рис. 15.7. В этом случае возникает разность потенциалов на входе и выходе схемы, равная примерно 0,7 В. Основная проблема режима АВ состоит в необходимости поддержания неизменным тока покоя в широком диапазоне рабочих температур. При повышении температуры транзистора ток покоя увеличивается. Это приводит к дальнейшему росту температуры транзистора и в результате к его тепловому разрушению. Такой эффект называется термической положительной обратной связью. Для компенсации положительной связи при повышении температуры транзистора на 1° следует уменьшать напряжения и [/j на 1 мВ. Для этого можно использовать диоды или термосопротивления, установленные на корпусе мощных транзисторов. Такая температурная компенсация, конечно, оказывается неполной, поскольку существует значительное различие в температурах перехода транзистора и его корпуса. Поэтому применяются дополнительные меры по стабилизации тока покоя. Для этой цели служат резисторы и R, реализующие отрицательную обратную связь по току. Эффективность обратной связи увеличивается с возрастанием величины сопротивлений этих резисторов. Однако, поскольку резисторы i?, и R включены последовательно с R , они снижают мощность, отдаваемую в нагрузку. По этой причине, величина сопротивлений обратной связи должна выбираться малой по сравнению с сопротивлением нагрузки. Как будет показано в разд. 15.4, эта проблема может быть разрешена при использовании схемы Дарлингтона. 15.2.3. СПОСОБЫ ЗАДАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ Один из способов задания напряжения смещения иллюстрируется на рис. 15.8. Падение напряжения на диодах и D2 составляет примерно t/ = t/j * 0,7 В. При этом напряжении через транзисторы Г, и Г2 течет небольшой ток покоя. Для повышения входного сопротивления схемы диоды можно заменить эмиттерными повторителями (рис. 15.9). Схема, с помощью которой можно в широких пределах изменять напряжение смещения и его температурный коэффициент, изображена на рис. 15.10. Транзистор 7 охвачен отрицательной обратной связью, реализованной с помощью делителя напряжения R, R. Напряжение Рис. 15.8. Задание начального смещения с помощью диодов. Риа 15.9. Задание начального смещения с помощью транзисторов.
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |