(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Полупроводниковая схемотехнология которые при Uqs = О протекает некоторый средний ток канала. У п-канальных полевых транзисторов к выводу истока необходимо приложить более отрицательный потенциал, чем к выводу стока. В симметричном и-канальном транзисторе любой из выводов канала, к которому подведен более низкий потенциал, может служить в качестве вывода истока. В МОП-транзисторах часто делают четвертый вывод от так называемой подложки. Этот электрод, как и затвор, также может выполнять управляющие функции, но он отделен от канала только р-и-перехо-дом, Управляющие свойства подложки обычно не используют, а ее вывод соединяют с выводом истока. Если же требуется два управляющих электрода, то используют так называемые МОП-тетроды или двухзатворные МОП-транзисторы, имеющие два равноценных затвора. 5.2. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ МАЛЫХ сигаАлов На рис. 5.2 и 5.3 представлено семейство характеристик типового полевого
стики полевого транзистора отличаются от соответствующих характеристик п-р-п-транзистора рабочим диапазоном напряжения затвор-исток. Напряжение, при котором ток стока Id принимает минимальное значение, называется пороговым напряжением Up. При величинах напряжений Uq, больших Up, передаточная характеристика транзистора, представленная на рис. 5.2, описывается уравнением lD-los{l-~j; (5.1) где Ids-ток стока при Uqs = На практике эта величина тока для полевого транзистора с управляющим р-и-переходом является предельной, так как положи-тельньгх напряжений затвор-исток стараются избегать, чтобы не потерять преимуществ, обеспечиваемых малым током затвора. . Из выражения (5.1) следует, что ток стока при Ugs = Up должен равняться нулю. Фактически это равенство выполняется лишь приближенно. Поэтому правильнее было бы определить значение Uq, при котором величина тока стока становится рав- Ugs 08  -3 -2 -1 О Ues.B Рис. 5.2 Передаточная характеристика п-ка- Рис. 5.3. Семейство выходных характеристик п- нального полевого транзистора с управляющим канального полевого транзистора с управляю- р-и-переходом. . щим р-п-переходом. транзистора с управляющим р-и-перехо-ДОМ.В области малых сигналов. Можно заметить, что качественно эти характеристики подобны характеристикам биполярного транзистора. При этом сток соответствует коллектору, исток-эмиттеру, а затвор-базе биполярного транзистора. Характери- ной нескольким микроамперам. Полученное таким образом значение не всегда будет удовлетворять равенству (5.1), поэтому удобнее вычислить величину у! как функцию и as и экстраполировать полученную прямую линию до значения тока = = 0. Выражение (5.1) можно использовать также и для описания передаточных характеристик МОП-транзисторов, как нормально открытых, так и нормально закрытых, если учесть знаки величин Uqs и U. Для нормально закрытых МОП-транзисторов в качестве величины Ips используется ток стока при Ugs = Смысл этого становится ясным при сравнении передаточных характеристик МОП-транзисторов обедненного и обогащенного типов на рис. 5.4 и 5.5. Напряжение затвор-исток можно определить крутизну  Рис. 5.4. Передаточная характеристика нормально открытого и-канального полевого транзистора. для МОП-транзисторов может повышаться до величины напряжения пробоя оксидного слоя, составляющего около 50 В, nolo-  Up 2Up Рис. 5.5. Передаточная характеристика нормально закрытого п-канального полевого транзистора. этому ток стока таких транзисторов может значительно превышать величину Is- По передаточной характеристике транзистора может быть определен такой его параметр, как крутизна: dUas . Дифференцированием Upg = const выражения (Ues - и,) = jVhJo- (5.2) Особый интерес представляет значение крутизны при 1р = /pj, обозначаемое через Sj. Для полевых транзисторов с управляющим р-и-переходом это максимальное значение крутизны. Из выражения (5.2) находим (5-31 Теперь по легко определяемым опытньш путем параметрам и Is можно проао получить напряжение отсечки. Типовые значения параметров маломощного полевого транзистора составляют: los = 1, .... 50 мА, 0,5.....5 в: = 2.....20 мА/В. Можно отметить, что при равных токах стока полевого и коллектора биполярного транзисторов крутизна полевого транзистора сушественно ниже, чем биполярного, На рис. 5.3 представлены выходные характеристики полевого транзистора-графики зависимости между /д и U[,s W различных фиксированных значениях {/щ, Характеристики имеют одинаковый вщ как для нормально открытых, так и дл нормально закрытых полевых транзисторов. При малых значениях Ups ток /д возрастает приблизительно пропорционально Uos- Полевой транзистор в этой обласп режимов эквивалентен омическому сопротивлению, величина которого может упра. вляться напряжением Uqs- При напряже. ниях ниже точек перегиба и, = Uos - и (5.4 семейство выходных характеристик описы вается выражением [5.2; 5.3] (5.1) h = -[2(1/gs - VWos - Ubsl (5.5 p Эта зона семейства выходных характер стик называется начальной зоной. Зона семейства выходных характеристик, находящаяся за точками перегиба, называется зоной сжатия. В этой зоне ток стока зависит только от напряжения Uq и очень незначительно от Ups, что соответствует выражению (5.1). Остаточная зависимость тока от напряжения характеризуется дифференциальным выходным сопротивлением = const Как и у биполярных транзисторов, дифференциальное выходное сопротивление снижается при увеличении тока стока /д, причем приблизительно, обратно пропорционально величине VId. рое становится соизмеримым со входным сопротивлением полевых транзисторов с управляющим р-и-переходом. 5.4. ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ По аналогии с биполярными транзисторами в зависимости от того, какой электрод подключается к точке постоянного потенциала, различают три схемы включения: истоковое, стоковое и затворное. 5.4.1. СХЕМА С ОБЩИМ ИСТОКОМ Схема с общим истоком (рис. 5.6) соответствует схеме с общим эмиттером для 5.3. ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ Предельные электрические параметры полевых транзисторов такие же, как и у биполярных транзисторов. Среди них, однако, отсутствует такой параметр, как напряжение вторич1ого пробоя (или пробоя второго рода). Это дает некоторые преимущества мощным полевым транзисторам по сравнению с мощными биполярными транзисторами [5.4]. У МОП-транзисторов следует обращать особое внимание на предельно допустимое напряжение на затворе транзистора, лежащее в пределах 50-100 В. При превышении этого напряжения может произойти пробой оксидного слоя затвора, и транзистор будет необратимо поврежден. Такие перенапряжения легко могут возникнуть вследствие высокого входного сопротивления и малой входной емкости транзистора, составляющей несколько пикофарад. Особенно опасны статические заряды, которые могут привести к пробою транзистора даже при касании его рукой. Поэтому при пайке МОП-транзисторов следует заземлять паяльник, прибор и самого монтажника. Для защиты МОП-транзисторов между затвором и подложкой иногда включают стабилитроны. При этом значительно уменьшается входное сопротивление, кото- Рис. 5.6. Схема с общим истоком. Коэффициент усиления по напряжению а = Входное сопротивление г. = rgj я; оо. Выходное сопротивление Га > Rjr/>5. биполярного транзистора. Различие состоит в том, что диод канал-затвор включен в запирающем направлении. Входной ток при этом практически равен нулю, а входное сопротивление очень велико. Для анализа схемы можно вернуться к результатам, полученным в предыдущих главах для биполярных транзисторов. Сравнение характеристик транзисторов и параметров малых сигналов дает следующую таблицу соответствия: (5.6)
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |