Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Программные средства foundation 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 [ 59 ] 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 351 352 353 354 355 356 357 358 359

Поскольку переход база-эмиттер является не идеальным, а реальным диодом, прежде чем сможет протечь какой-либо ток базы, напряжение должно достичь, по крайней мере, величины +0.6 В (падение напряжения на открытом диоде). Как только это произойдет, согласно закону Ома получим:

(Kin-0.6) * ~ R1

(Обычно пренебрегают малым сопротивлением Лоткрытого перехода база-эмиттер по сравнению с сопротивлением базового резистора RL) Когда течет ток базы тогда может течь пропорциональный ему ток коллектора, равный

Коэффициент пропорциональности р называется коэффициентом усиления (gain) тока транзистора; в типичном случае величина j3 имеет значение порядка 100.

Хотя ток базы определяет ток коллектора / ., он, помимо этого, косвенно влияет на напряжение V между коллектором и эмиттером, так как V равно напряжению питания V минус падение напряжения на резисторе R2:

Усе = Усе-/c-R2 = Vcc-P-ib-R2==Vcc-P-(Vm - О-б) R2/RI.

Однако в идеальном транзисторе напряжение V никогда не может быть меньше нуля (транзистор, конечно, не может быть источником отрицательного потенциала), а в реальном транзисторе V никогда не может быть меньше напряжения CE(sat) являющегося параметром транзистора; величина Vq обычно бывает порядка 0.2 В.

Если значения V, p,RI hR2 таковы, что напряжение V, вычисленное согласно приведенному выше выражению, меньше чем Ущу то транзистор не может находиться в активной области, и указанное соотношение не применимо В этом случае транзистор переходит в область насыщения (saturation region) или, как говорят, оказывается насыщенным (saturated) и полностью открыт (ON). Независимо от того, насколько велик ток / втекающий в базу, напряжение V не может стать меньше Ущу поэтому ток коллектора определяется, главным образом, сопротивлением резистора нагрузки R2:

1с = (Усе - CE(saO)/( + ЛсЕ(5а1)).

где ?cE(sat) ~ сопротивление транзистора в режиме насыщения (saturation resistance). Как правило, сопротивление R(, не более 50 Ом и пренебрежимо мало по сравнению с R2.

Специалистг.м в области информатики может понравиться представление об -/ь-и-транзисторе как об устройстве, которое непрерывно наблюдает за тем, что происходит вокруг, выполняя приведенную в табл. 3.10 программу, моделирующую поведение транзистора (transistor simulation).



Табл. 3.10. Программа на языке С, моделирующая поведение п-р-п-транзис-тора в схеме с общим эмиттером

/* Transistor parameters */ #define DIODEDEOP 0.6 /* volts */ #define BETA 10;

#define VCE.SAT 0.2 /* volts */ #define ECE.SAT 50 /* ohms */

mainC) {

float Vcc, Via, Rl, R2; /* circuit parameters */ float lb, Ic, Vce; /* circuit conditions */

if (Vis < DIODEDRDP) i /* cut off */ lb = 0.0; Ic = 0.0; Vce = Vcc;

else -C /* active or saturated */

lb = (Via - DIODEDROP) / Rl;

if ((Vcc - ((BETA * lb) * R2)) >= VCE.SAT) { /* active */ Ic = BETA * lb; Vce = Vcc - (Ic * R2);

>

else -C /* saturated */

Vce = VCE SAT;

Ic = (Vcc - Vce) / (R2 + RCE.SAT);

>

>

3.9.4. Транзисторный инвертор

На рис. 3.69 показано, что на и-/>-л-транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, можно построить инвертор логических сигналов. Когда входное напряжение имеет низкий уровень, напряжение на выходе имеет высокий уровень и наоборот.

В цифровых схемах воздействие, оказываемое на биполярные транзисторы, часто приводит к тому, что они всегда либо закрыты, либо находятся в насыщении. То есть цифровые схемы типа инвертора, изображенного на рис. 3.69, разработаны так, чтобы транзисторы в них всегда находились (ну, почти всегда) в одном из состояний, изображенных нарис. 3.70. Если входное напряжение соответствует низкому уровню, то оно настолько мало, что ток равен нулю и транзистор закрыт; цепь между эмиттером и коллектором разомкнута. Если напряжение V соответствует высокому уровню, то оно настолько велико (а сопротивление RI достаточно мало и коэффициент j3 достаточно велик), что транзистор попадет в состояние насыщения при любом разумном значении сопротивления R2; цепь между коллектором и эмиттером выглядит почти как короткое замыкание. Наличие входных напряжений, попадающих в область неопределенности между низ-



КИМ и высоким уровнями, не допустимо, за исключением переходных процессов. Эта область неопределенности соответствует запасу помехоустойчивости, о котором шла речь в связи с табл. 3.9.

V,fi п-VW



-i--

LOW не опрв- HIGH делен

Pwc. 3.69. Транзисторный инвертор: (а) условное обозначение (IN - вход, OUT -ныход); (Ь) принципиальная схема; (с) передаточная характеристика (LOW- низший уровень, HIGH - высокий уровень)

Vbe<C.6B

;,. = о

/, = 0

+ /, > о

\/щ, = 0.6В

[;,>о

- >ce(ai) =0.2В

?ис. 3.70. Обычные состояния п-р-п-транзистора в цифровой схеме: (а) условное обозначение транзистора и протекаюш,ие в нем токи; (Ь) эквивалентная схема транзистора в состоянии отсечки (OFF); (с) эквивалентная схематранзис--ора в состоянии насыщения (ON)

Другой способ, позволяющий наглядно представить работу транзисторного инвертора, показан на рис. 3.71. Если напряжение V соответствует высокому уровню, то транзисторный ключ замкнут, выход инвертора соединен с землей и выходное напряжение безусловно соответствует низкому уровню. Если входное напряжение V- соответствует низкому уровню, то транзисторный ключ разомкнут и выход инвертора через резистор подключен к шине питания +5 В; выходное напряжение соответствует высокому уровню, если выход не слишком сильно нагружен (то есть в том случае, когда он не соединен с землей резистором с малым сопротивлением, что было бы неправильно).

3.9.5. Транзисторы Шоттки

Когда напряжение на входе насыщенного транзистора изменяется, выходное напряжение не начинает изменяться немедленно; для выхода из насыщения требует-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 [ 59 ] 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 351 352 353 354 355 356 357 358 359



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.